近期，第三代半导体材料碳化硅和氧化镓的6英寸晶圆产线建设取得了显著进展。

首先，昕感科技宣布其晶圆厂已顺利完成首批投片。昕感科技专注于第三代半导体SiC功率器件和功率模块的研发生产，其江阴晶圆厂于2023年8月开始建设，2024年8月设备正式入驻。该项目总投资20亿元，产品可应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、5G通信等领域，预计满载年产能将达100万片。

其次，富加镓业科技有限公司宣布，其6英寸氧化镓单晶及外延片生长线已在杭州富阳开工建设。氧化镓因其性能和成本优势，被认为是碳化硅之后最具潜力的半导体材料。富加镓业成立于2019年，主要从事氧化镓单晶材料生长、氧化镓衬底及外延片研发、生产和销售，产品应用于功率器件、微波射频及光电探测等领域。

最后，RIR Power Electronics Limited宣布，其在印度奥里萨邦投资51亿卢比（约合4.32亿人民币）建设的碳化硅半导体制造工厂已正式落成。RIR是美国Silicon Power Group在印度的子公司，主要从事电力电子元件生产。该工厂将用于生产6英寸碳化硅晶圆，预计2025年全面投入运营。

这些进展标志着第三代半导体材料在6英寸晶圆产线建设方面取得了重要进展，为相关产业的发展提供了坚实的基础。