印度国防研究与发展组织（DRDO）近期宣布，其固体物理实验室成功开发了4英寸碳化硅（SiC）晶片制造工艺，并已生产出功率达150W的氮化镓（GaN）HEMT和40W的单片微波集成电路（MMIC）。这些先进器件在高频X波段的应用潜力巨大，未来有望广泛应用于雷达、电子战系统等军事场景，以及清洁能源等领域。

SiC和GaN技术被印度国防部视为新一代国防、航空航天和清洁能源发展的关键。该技术不仅能提升器件性能，还能减小设备的重量和尺寸，有助于推进绿色能源和军事装备的小型化和高效化需求。

为此，印度还积极扩展其SiC/GaN产业基础。多个项目陆续落地，特别是在奥里萨邦、钦奈等地，涵盖了晶圆制造、封装及后期加工。印度本土公司和美印联合企业均加入了这些项目，投入巨资发展本土生产，以支持下一代通信、卫星和电动汽车等应用。