英飞凌科技近日宣布，已成功开发出全球首个300毫米（12英寸）氮化镓功率半导体晶圆技术，成为首家掌握该突破性技术的公司。这一进展标志着功率氮化镓技术向更高晶圆尺寸的迈进，有望推动成本降低并加速氮化镓对硅功率芯片的替代。

英飞凌此前采用8英寸硅基氮化镓晶圆生产功率氮化镓芯片，而12英寸晶圆技术的引入，预计将使得每片晶圆上的芯片数量增加2.3倍，显著提高生产效率。公司已经在奥地利菲拉赫的功率半导体晶圆厂中，使用现有的12英寸硅生产设备成功试产了12英寸氮化镓晶圆。

这一技术进步不仅在技术上更为先进，而且由于可以沿用现有的硅晶圆生产设备，大规模切换到12英寸晶圆的生产成本也相对较低。英飞凌预计，随着12英寸氮化镓晶圆的全规模化生产，氮化镓和硅功率芯片的成本将能够持平，这将进一步推动氮化镓在工业、汽车、消费电子和通信等领域的广泛应用。

此外，信越化学也宣布开发出用于氮化镓外延生长的12英寸QST衬底，这种材料与氮化镓具有相同的热膨胀系数，可以有效抑制氮化镓外延层的翘曲和裂纹，生长出高质量的氮化镓厚膜。这一发展为氮化镓功率半导体的进一步成本降低和性能提升提供了新的可能性。

总体来看，英飞凌在12英寸氮化镓晶圆技术的开发，预示着功率氮化镓市场即将迎来快速增长，为相关应用领域带来更高的效率和更小的尺寸。随着技术的成熟和成本的降低，预计氮化镓将在未来的半导体市场中扮演更加重要的角色。