国内最新曝光机，该机分辨率≤65纳米，覆盖精度≤8纳米，被误读为8纳米曝光机，实则多用于65纳米芯片生产，28纳米尚需浸润式技术。

业界认为，国产氟化氩DUV曝光机因技术限制，无法实现多重曝光以进一步微缩芯片，故28纳米量产仍需等待。

相比之下，国际领先的ASML NXT系列曝光机，如1970i和1980i，因高覆盖精度（≤3.5至2.5纳米），支持多重曝光，助力7纳米以下制程生产。

美国对ASML设备出口管控加严，凸显多重曝光技术的重要性。国产曝光机因覆盖精度不足，难以支撑28纳米及以下制程，目前多用于55至65纳米成熟制程。

工信部曝光的65纳米国产曝光机实为改良版，难以满足28纳米制造需求。国内半导体业在高端设备自主化道路上仍面临挑战。