近日，有关国内半导体制程设备进展的消息引起广泛关注。其中，“氟化氩光刻机”（DUV曝光机）的技术指标被解读为可生产8纳米及以下芯片，但这一解读存在误解。

实际上，氟化氩（ArF）激光的波长是193nm，而非报道中的248nm，后者更可能是氟化氪（KrF）激光的波长。此外，氟化氩激光作为光源的曝光机，其分辨率一般在80~90nm（干式）或38~40nm（浸润式）左右。而报道中的分辨率指标位于两者之间，可能是干式曝光机加上改良光学手段的结果。

更重要的是，“套刻精度小于8nm”被误解为能生产8nm制程芯片的能力。实际上，套刻精度（overlay accuracy）指的是上下两层光罩层对准的最大误差，与能生产的芯片技术节点完全不同。

因此，国内曝光机能力目前仍处于以准分子激光为光源的第一代DUV曝光机阶段。要进一步发展，还需跨越浸润式氟化氩曝光机和极紫外光曝光机（EUV）等阶段。中微半导体董事长尹志尧指出，国内机器设备与客户群相比国外领先厂商，还差两、三代。

在晶圆制造过程中，除了曝光机本身的分辨率外，还有其他手段如多重曝光、光学邻近校正等可以提升图案化能力。例如，氟化氩浸润式曝光机经过这些处理，可以在晶圆上实现10~12nm的最小尺寸。

国内已进口氟化氩浸润式曝光机，台积电等厂商已用于制造7nm制程。但要实现更先进的制程节点，还需解决良率、成本和产能等问题。