日本碍子公司（NGK Insulators）近日宣布，已经成功完成了8英寸SiC（碳化硅）的制备，并计划在即将举行的ICSCRM2024国际会议上首次展出这一成果。该会议将于2024年9月29日至10月4日在美国北卡罗来纳州举办，届时日本碍子将介绍其在SiC晶圆研究方面的最新进展。
日本碍子是全球知名的陶瓷技术公司，其业务涵盖汽车尾气净化产品、电力和能源设备、电子陶瓷元件、特殊金属和高性能陶瓷材料等多个领域。此次在8英寸碳化硅领域的突破，标志着公司正在扩展其业务范围，进入先进材料研发和制造的新阶段。
此外，日本碍子研究团队还将在会议上发表演讲，介绍其在“多片籽晶上低BPD密度4H-SiC晶体的同步生长”技术上的新进展。该技术能够在多片SiC籽晶上同时进行晶体生长，实验结果显示，使用该方法生长的晶体BPD密度大幅降低，有望实现低成本且低BPD密度的晶体生长。
在SiC领域，上海汉虹也在近期通过使用自行研发制造的碳化硅长晶炉，成功拉制出高品质8英寸碳化硅晶体。这一成果进一步证明了中国企业在全球SiC行业中的竞争力。据相关统计，目前全球8英寸SiC玩家共有31家，其中中国企业占20家，显示出中国在该领域的快速发展和强大潜力。随着技术的不断进步和市场的扩大，预计未来将有更多的企业和研究机构参与到SiC材料的研发和应用中来。
