近期，国内在碳化硅（SiC）技术领域取得了显著的进展，多家企业在沟槽技术、大尺寸制备等方面实现了技术突破。

青禾晶元宣布成功实现高质量晶圆级SiCOI（6寸，SiC膜厚1μm±100nm）的规模化生产，解决了晶圆键合、微纳加工等技术难题，为后续器件制造和性能提升奠定了基础。

国家第三代半导体技术创新中心（南京）成功研发了沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造的关键技术，这是国内首次突破。该技术较平面型提升导通性能约30%，预计一年内可在新能源汽车电驱动、智能电网、光伏储能等领域投入应用。同时，该中心还启动了碳化硅超集结器件研究，性能将更优。

上海汉虹则使用自行研发制造的碳化硅长晶炉成功拉制出高品质8英寸碳化硅晶体，直径达到200毫米标准，电阻率和晶向均符合高端应用要求。该晶体的制备技术为新能源汽车、5G通讯等新兴产业的发展提供了材料基础。

这些技术突破不仅展示了国内SiC企业的研发实力，也为SiC半导体产业的发展注入了新的动力，有望推动相关产业的进一步发展和应用。