2023年8月，杭州镓仁半导体有限公司在氧化镓衬底加工技术上取得了重要突破，成功研发出厚度小于200微米的超薄6英寸衬底。这一创新技术为半导体行业带来了新的可能，特别是在高压、大功率器件的应用中。

镓仁半导体成立于2022年9月，专注于宽禁带半导体材料的研发，特别是在氧化镓材料方面。氧化镓（β-Ga2O3）凭借其优异的禁带宽度、击穿场强和高效能，有望成为未来半导体电力电子领域的重要材料。然而，其低热导率问题一直是行业的一大挑战，容易导致器件内部过热，影响性能。

为了解决这一问题，镓仁半导体的创新方案在于减薄衬底厚度，从而显著提升散热能力。此次推出的超薄衬底，为高效、稳定的半导体器件制造提供了新的可能性，推动了整个行业的技术进步。

不仅如此，镓仁半导体还在8月6日顺利完成了Pre-A轮融资，由九智资本领投，普华资本跟投。该融资将进一步推动公司在技术研发和市场开拓方面的发展。

这一进展标志着中国半导体行业在全球竞争中迈出关键一步，展现出强大的创新潜力。镓仁半导体无疑在未来的行业格局中占据了有利位置。