鸿海科技集团与阳明交通大学的研究团队近日在第四代半导体氧化镓（Ga2O3）技术上取得了显著进展。这一突破性成果由鸿海研究院半导体所所长郭浩中教授及其团队与阳明交大电子所洪瑞华教授团队合作完成，研究结果已发表于国际顶级期刊《Materials Today Advances》。

这项研究重点在于通过离子注入技术优化氧化镓PN二极管的电性表现。研究团队采用了创新的磷离子注入和快速热退火技术，成功制造出具有卓越电性特征的氧化镓PN二极管。这一技术突破大幅提高了氧化镓在高压、高温环境下的耐受性能，使其在电动车、电网系统和航空航天等高功率应用领域展现出前所未有的潜力。

氧化镓作为第四代半导体材料，凭借其4.8 eV的超宽能隙和8 MV/cm的超高临界击穿场强，相比硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等传统材料具有明显优势。这使其成为未来电子器件领域的重要新星。研究数据显示，新型氧化镓PN二极管的开启电压为4.2 V，击穿电压高达900 V，表明其具有优异的高压耐受能力。

这一进展不仅提升了氧化镓的技术水平，也推动了其在全球市场的竞争力。目前，中国、日本和美国在氧化镓研究中领先，特别是日本已经实现了氧化镓晶圆的产业化，中国的科研机构和企业也在积极跟进。

鸿海科技表示，随着技术的不断进步，未来氧化镓将在更多高压、高温和高频领域中展现广泛的应用前景。这一成果无疑为半导体行业的发展注入了新的活力和希望。