2024年7月，杭州镓仁半导体有限公司在全球半导体材料领域再创佳绩。该公司成功研发出3英寸晶圆级(010)氧化镓单晶衬底，这一成果不仅打破了国际尺寸纪录，还展示了公司在氧化镓晶体技术上的领先水平。

氧化镓（β-Ga2O3）作为一种重要的半导体材料，其在电力电子器件中具有广泛应用前景。而在众多氧化镓单晶衬底中，(010)晶面因其独特的物理特性而备受关注。与其他常见晶面相比，(010)衬底拥有更高的热导率，这使得它在功率器件的应用中表现出色，可以显著提升器件的性能。此外，(010)衬底还具备较快的外延生长速率，并且基于这一衬底制备的器件具有更优异的功能性能。

此次3英寸(010)氧化镓单晶衬底的推出，标志着镓仁半导体在科研市场中的又一重大进展。这一新产品不仅为科研领域提供了更大规格的衬底，还将进一步推动产学研的深度合作，促进相关技术的发展与应用。

杭州镓仁半导体有限公司的不断创新和突破，无疑为半导体行业注入了新的活力和希望。作为国内领先的氧化镓材料研发企业，镓仁半导体凭借其卓越的技术实力和不懈的创新精神，正在不断推动半导体技术的前进步伐。这一成果不仅提升了公司在国际市场的竞争力，也为全球半导体行业的技术进步做出了重要贡献。