9月11日晚，杭州镓仁半导体有限公司宣布：其科研团队已成功攻克氧化镓（β-Ga2O3）衬底加工技术的难关，成功研制出厚度小于200微米的超薄6英寸衬底。

氧化镓，作为一种性能卓越的半导体材料，以其独特的禁带宽度大、击穿场强高和Baliga品质因数大等优势，在高压、大功率、高效率、小体积电子器件的制造中展现出了巨大的应用潜力。然而，其较低的热导率一度成为制约其广泛应用的瓶颈。

镓仁半导体此次成功研制的超薄6英寸衬底，正是针对这一难题提出的有效解决方案。通过减薄衬底厚度，不仅能够显著提升器件的散热能力，降低自热效应对器件性能的影响，还能为高性能器件的制备提供更为灵活和多样的选择。