在半导体材料技术的征途上，杭州镓仁半导体有限公司再次迈出坚实步伐，宣布其于2024年7月成功突破技术壁垒，实现了3英寸晶圆级(010)氧化镓单晶衬底的制备，这一成就不仅标志着国内在氧化镓晶体生长与衬底加工技术上的重大飞跃，更将国际领先水平推向了新的高度。

值得注意的是，(010)晶面作为氧化镓单晶衬底中的佼佼者，以其卓越的物理特性和外延性能脱颖而出。其高热导率特性为功率器件的性能提升提供了有力保障，同时，快速的外延生长速率也加速了器件的生产效率。更为关键的是，基于(010)衬底制备的器件展现出了更为优异的性能，这无疑为半导体器件的创新与应用开辟了更广阔的空间。

镓仁半导体此次推出的晶圆级(010)氧化镓单晶衬底产品，不仅满足了科研领域对高质量衬底的迫切需求，更为产学研合作搭建了坚实的桥梁，促进了半导体行业的协同创新与发展。这不仅是镓仁半导体技术实力的有力证明，更是中国半导体材料产业迈向国际舞台的重要一步。