三星电子的两名前高管，包括一名前高管和一名高级研究员，因被指控窃取公司的半导体核心技术而被捕，并已被移送至检察机关。此事件导致与他们有关的高真科技（CHJS）的芯片项目停产，该项目总投资约50亿元人民币。

韩国警方对大约30名涉及此事件的前高管和员工进行了立案调查，这些人员目前就职于高真科技，警方正在调查是否存在其他技术泄露情况。被捕的三星电子前高管和研究员被指控在2020年9月在国外成立了CHJS，该公司具备芯片设计、晶圆制造、封装测试的全产业链能力。

据指控，这些人员泄露并非法使用了三星电子专有的20纳米DRAM内存半导体技术。韩国警方在中国进行了调查，获取了涉案人员的陈述和技术数据，并扣押搜查了相关人员的住所和办公室。

此次泄露的技术是三星电子投入4.3万亿韩元开发的费用，实际损失金额难以估计。尽管CHJS去年6月成功开发了20纳米DRAM并准备量产，但由于调查，工厂已停产，且泄露的技术未产生实际利润。

韩国警方计划进一步调查约30名关键技术人员的招聘过程，是否存在非法外流情况，并部署专业侦查人员，以打击向海外泄露工业技术的犯罪行为。