前三星电子与SK海力士的资深高管崔振石（66岁），因涉嫌泄露三星的尖端20纳米DRAM技术数据被捕。崔振石此前曾因窃取三星半导体工厂蓝图并计划建立“克隆工厂”而被拘留。

9月5日，首尔中央地方法院院长金美京的一纸逮捕令，正式将崔振石与前三星高级研究员吴某推向了法律的审判台。二人被控以违反《反不正当竞争法》及《商业秘密保护法》。

崔振石在半导体领域拥有丰富经验，本应是守护企业核心技术的中坚力量，却利用职务之便，非法获取三星与SK海力士的核心技术资料——半导体设计蓝图与工艺流程图，视作个人私产，企图在中国复制出另一座“芯片帝国”。

此举不仅严重侵害了原公司的利益，更对全球半导体市场的竞争格局构成了潜在威胁。这一事件对崔振石个人品德和职业操守提出了考验，同时也提醒半导体行业重视知识产权保护和内部管理。