据《Tom's Hardware》引述韩国《首尔经济日报》的消息，三星电子正在快速推进其高数值孔径（high-NA）极紫外光刻（EUV）技术的布局，计划在今年第四季度至2025年第一季度安装首台高数值孔径EUV设备。这一行动标志着三星在半导体领域的技术进步，并进一步巩固其在晶圆代工市场的竞争力。
三星的首台ASML Twinscan EXE:5000高数值孔径曝光系统将被部署在华城园区，该园区专注于开发下一代逻辑与DRAM制程技术。预计该设备将于2025年中正式投入使用，这一时间点虽然略晚于英特尔，却仍将领先于台积电和SK海力士。
此外，三星还积极与日本雷泰光电、东京威力科创和美国新思科技等企业合作，推动高数值孔径EUV生态系统的发展。通过联合开发高数值孔径光罩检测设备，并与JSR、东京威力科创等公司合作，三星计划在2027年前实现这一技术的商业应用。
尽管进入high-NA领域带来了高昂的设备成本和复杂的设备体积等挑战，但三星显然已经做好了充分的准备，展现出其在半导体技术领域的雄心与决心。三星此举不仅将推动全球半导体技术的进步，也有望为未来的科技创新奠定坚实的基础。
