三星前高管崔珍奭因涉嫌将DRAM技术外泄至中国，被韩国法院羁押，并牵连30多名研究人员。外泄技术估值约32亿美元，且涉案人员持续在中国申请专利。

崔珍奭在成都投资设立高真科技，引进韩国半导体人才，迅速实现芯片试生产，仅用时一年多。三星在相关技术上投入巨大，实际损失难以估量。

高真科技多名研究员自2022年起申请多项DRAM相关专利，引发韩国警方对技术泄漏的深入调查。成都高真曾提供高薪及福利吸引人才，但员工常遭解雇。

此次事件由韩国半导体高层直接参与，与地方政府合作，动摇经济安全。业界呼吁加强惩处措施，以遏制技术泄漏。