三星与SK海力士前高管,技术外流遭重新羁押
来源:ictimes 发布时间:2024-09-10 分享至微信

前三星与SK海力士高管崔珍奭,因涉嫌将三星关键的20纳米级DRAM技术非法转移至国内企业,再度被首尔法院下令羁押。


据报道,崔珍奭长期在半导体领域担任要职,却将核心技术信息泄露给成都的高真科技公司,引发了业界的轩然大波。


崔珍奭曾在三星任职18年,后转投SK海力士并助其崛起。然而,他的传奇生涯近期却因技术外流指控蒙上阴影。他在新加坡及中国创立公司,试图复制三星的DRAM生产流程,这一举动被视为对商业秘密的严重侵犯。


法院担心崔珍奭可能潜逃,因此决定重新羁押。此次事件再次凸显了半导体行业技术保护的紧迫性,以及防止商业机密泄露的重要性。


同时,这也引发了业界对韩国技术外流问题的广泛关注。高真科技的实际技术掌握情况及未来可能的技术泄露风险,成为各界关注的焦点。

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