日企信越化学成功研发出12寸氮化镓（GaN）基板，直径达300mm，较8寸基板面积扩大2.25倍，预计显著提升半导体生产效率超两倍。

此基板专为6G通讯及数据中心等高端应用设计，能稳定高频通讯并高效控制电力。信越化学独有的QST基板技术，通过匹配GaN热膨胀系数，减少翘曲与裂缝，促进高品质GaN结晶生长。

公司已开始样本出货，并计划投资10亿日圆加速300mm QST基板量产，旨在降低生产成本，尽管其单价高于传统硅基板。未来，该基板不仅应用于通讯与数据中心，还将拓展至电动车领域。

信越化学，作为硅片市场领军者，正积极在氮化镓基板领域寻求突破，与三菱化学、住友化学等日企共同推动化合物半导体市场发展。

信越化学社长斋藤恭彦指出，公司策略聚焦于低成本、大面积需求，与同行侧重品质的策略形成差异。通过与冲电气工业合作，开发出成本仅为传统十分之一的新型GaN功率半导体材料技术，进一步巩固了其在氮化镓基板市场的竞争力。