日本科技巨头信越化学宣布成功研发出专用于氮化镓（GaN）外延生长的300毫米（即12英寸）的 QST 衬底，，并已从近期开始向客户供应相关样品。不仅彰显了信越化学在高性能半导体材料领域的卓越实力，更为整个行业带来了前所未有的技术飞跃。

此次推出的QST 300mm（即12英寸）GaN晶圆，是信越化学技术创新实力的集中展现。信越化学的 QST 衬底技术源自美国企业 Qromis 的专利授权，该晶圆凭借其卓越的热膨胀系数（CTE）与GaN材料的完美融合，巧妙解决了外延层生长中的翘曲与裂纹难题，将产品良率与可靠性推向了新的高度。