日本信越化学工业在半导体材料领域再次展现其创新实力，成功研发出用于氮化镓（GaN）半导体制造的大型基板，有望彻底改变6G通信和数据中心等前沿技术的格局。

长期以来，氮化镓以其卓越的高频通信能力和大功率控制能力，被视为推动未来通信技术和电力电子发展的关键材料。然而，高品质大型基板的制造难题限制了氮化镓技术的广泛应用。如今，信越化学凭借其自主研发的“QST基板”技术，成功跨越了这一障碍。

QST基板，作为信越化学的独门秘籍，不仅采用了氮化铝等先进材料，还融入了公司深厚的半导体制造技术底蕴。相比传统的硅基板，QST基板能够生产出更薄、品质更高的氮化镓结晶，为高性能半导体器件的制造提供了坚实的基础。

此次推出的300毫米口径QST基板，更是将基板面积提升至以往产品的约2.3倍，直接与传统半导体常用的硅基板面积持平，这无疑为氮化镓半导体的大规模生产铺平了道路。