2024年9月6日，信越化学工业公司宣布成功开发出一款用于氮化镓（GaN）半导体的大型基板，这一创新不仅提升了生产效率，还为半导体行业的未来发展打开了新局面。新基板的面积与硅基板相当，生产效率提升超过两倍，为氮化镓半导体的大规模应用奠定了基础。

氮化镓半导体以其在高频段通信和大功率控制方面的优越性能而备受关注，特别是在6G通信和数据中心领域。然而，由于生产高质量的大型氮化镓基板存在技术难题，这一技术瓶颈长期以来阻碍了其普及。信越化学的最新突破不仅解决了这一难题，还可能推动氮化镓半导体的广泛应用。

公司通过自主开发的“QST基板”技术，实现了氮化镓结晶的更高品质和更薄厚度。与传统的硅基板相比，这种新基板将大大提高半导体的性能和稳定性。信越化学计划在未来几年内投入超过10亿日元资金，迅速推进量产。

这一技术突破无疑将对半导体行业产生深远的影响，为未来的通信和电力控制技术带来更多可能性。信越化学的这一举措不仅展示了其在半导体领域的领导力，也为行业的技术进步注入了新的动力。