美光12层HBM3E加速验证,2025年量产在即
来源:ictimes 发布时间:2024-09-10 分享至微信
美光科技最新推出的12层HBM3E存储器,容量高达36GB,较8层产品跃升50%,正被送交AI领域的关键合作伙伴进行验证。
该存储器专为满足AI处理器市场对高带宽存储的迫切需求而设计,预计将在大型AI模型如Meta Llama 2中展现卓越性能。
自2024年初8层HBM3E成功量产并应用于NVIDIA GPU后,美光持续推动技术创新,12层HBM3E的推出标志着带宽与容量再上新台阶,每秒可达1.2TB以上,为AI运算提供强大支持。
美光强调,AI系统构建复杂,HBM3E的整合需产业链紧密协作。台积电作为重要伙伴,双方通过CoWoS封装设计等技术合作,共同推动AI创新。美光预计,2025年12层HBM3E将步入量产,市场需求已提前爆发,2024至2025年产能全满。
作为全球HBM市场第三大企业,美光计划通过扩大客户群,于2025年将HBM市占率提升至与DRAM市场相当的水平,加速追赶行业领头羊SK海力士与三星电子。
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