美光科技9月9日发布了12层堆叠的HBM3E内存，专为下一代AI和高性能计算（HPC）设计。这款新产品的容量高达36GB，数据传输速度超过9.2Gb/s，显著提升了AI处理器的性能，特别适用于英伟达的H200及其他高端GPU。

与之前的8层堆叠相比，这款新内存容量提升了50%，从24GB增加至36GB。这不仅减少了AI模型在处理过程中对CPU的依赖，还大幅降低了GPU之间的通信延迟，从而加速了数据处理速度。这一特性对于现代数据中心尤为重要，能够处理更复杂的大规模AI模型。

美光的12层HBM3E内存还具备超过1.2TB/s的内存带宽，不仅提高了性能，还降低了功耗。尤其是与竞争对手产品相比，美光的HBM3E在功耗和容量上都更具优势。此外，该内存还配备了内置自检系统（MBIST），为客户提供更快的验证和上市时间，确保产品在复杂环境中的可靠性。

美光的技术进步也表现在与台积电的CoWoS封装技术的兼容性上，这种技术已广泛应用于英伟达的H100和H200处理器。美光未来还将继续开发HBM4和HBM4E，以满足日益增长的AI计算需求。

美光在内存技术上的持续创新为AI和高性能计算领域带来了重要突破。新HBM3E内存不仅提高了处理效率，也展示了对未来技术需求的敏锐把握。