近日，三星电子正式宣布加入高带宽存储器（HBM）市场竞争，已通过NVIDIA HBM3品质测试并实现量产。此举标志着三星将积极投资以应对HBM及通用存储器需求增长。
据韩媒报道，三星不仅通过了NVIDIA的8层HBM3认证，还在华城17号产线启动HBM专用DRAM生产。市场高度关注三星能否进一步通过NVIDIA HBM3E测试，因其对手SK海力士与美光已率先通过并量产。
随着HBM3量产消息传出，业界对三星HBM3E即将量产的期待升温。尽管未获官方确认，但传三星HBM3E产品已获Qualtest PRA通知，即将进入量产阶段。
为满足HBM特殊需求，三星正调整产线布局，将部分通用DRAM产线转换为HBM产线。同时，面对IT设备需求复苏，三星需平衡HBM产能提升与通用DRAM需求激增的挑战。
据传，三星优先在平泽4厂安装新DRAM设备，并全面调整NAND Flash及晶圆代工设备投资计划。此外，三星正逐步转向生产最先进的1b DRAM，以提升竞争力。
