功率半导体双引擎竞速:SiC与GaN共舞
来源:ictimes 发布时间:2024-09-06 分享至微信
功率半导体市场正经历深刻变革,氮化镓(GaN)与碳化硅(SiC)作为第三类半导体新星,正加速发展以挑战传统硅基(Si)市场,并抢占5G、AIoT、新能源等未来产业的制高点。
近期,多家行业巨头通过并购整合,如Navitas购GeneSiC、英飞凌并GaN Systems等,加速推进SiC+GaN双引擎战略。
此战略旨在利用两种技术间的互补性,提供综合解决方案,满足客户多样化需求。同时,面对Si功率半导体市场的寡占格局,第三类半导体成为业者弯道超车的关键。特别是瑞萨电子等日系企业,依托其在工业和汽车领域的稳固地位,采取一、三类半导体并进的三引擎策略。
行业领军者英飞凌更是全力以赴,不仅并购GaN Systems,还启动了全球最大8寸SiC功率半导体工厂,展现其在SiC和GaN领域的双重布局。而GaN与SiC在应用上的差异化,如GaN在低、中压优势,SiC则主导高压领域,为材料选择提供了明确指引。
中国台湾供应链亦不甘落后,台积电、世界先进涉足GaN,联电布局SiC+GaN,富士康则从SiC拓展至GaN,中美晶更是三驾马车并进,全面覆盖SiC、GaN的制造与封装。随着技术的不断成熟与市场的持续扩张,功率半导体行业的双引擎竞赛将更加激烈。
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