在半导体技术飞速发展的今天，北京芯合半导体有限公司于7月25日在北京经济技术开发区（北京亦庄）成功发布了其自主研发的最新碳化硅（SiC）功率器件。此次发布包括了SiC SBD（碳化硅二极管）和SiC MOSFET（碳化硅三极管）两个系列，标志着公司在半导体产业中的重要突破。

碳化硅作为第三代半导体材料，因其优异的高温、高压及高频性能，被广泛应用于电力电子领域。这些新款功率器件不仅提升了电力电子系统的效率，还为新能源汽车、光伏逆变器、电力储能等多个领域提供了更加高效可靠的解决方案。特别是在新能源汽车领域，芯合半导体的新型SiC MOSFET将助力电动车主驱逆变器的轻量化与高效化，使得新能源汽车在续航和性能上实现突破。

芯合半导体总经理赵清在发布会上表示：“我们的1200V 17mΩ和13mΩ碳化硅MOSFET，将显著提升新能源车的电力转换效率，为电池提供更强劲的动力支持。”

芯合半导体在北京亦庄建立的6英寸碳化硅器件生产线年产能已达到3万片。赵清还透露，公司将继续扩展产能，并计划在未来三年内建设更大规模的生产基地，年产8英寸晶圆30万片。

此次发布不仅展示了芯合半导体在碳化硅技术领域的实力，也预示着公司未来将在全球半导体产业中占据更重要的位置。随着技术的不断进步和市场需求的增长，芯合半导体无疑将在全球半导体领域创造更多的辉煌成就。