在即将于9月4日盛大开幕的SEMICON Taiwan 2024展会上，异质整合高峰论坛已经引发了广泛关注。论坛特别邀请了SK海力士封装研发副社长李康旭（Kangwook Lee），他为与会者展示了该公司在高带宽存储器（HBM）和先进封装技术领域的最新进展。
李康旭指出，HBM作为突破“存储器墙”的关键技术，其优越的I/O并行化能力使其成为AI系统中不可或缺的存储解决方案。当前，训练服务器已需要使用8个HBM3E，而推理服务器则需要4至5个，未来的需求预计将分别增长到12个和8个HBM4/HBM4E存储器。
SK海力士计划在2025年推出12层HBM4产品，通过创新的封装技术来提升产品的能效和散热性能。李康旭透露，该公司将在HBM4阶段引入逻辑基础裸片（Logic Base Die），以进一步提高性能和能效。而未来的HBM5架构可能会带来重大变革，公司正在评估包括2.5D和3D系统级封装（SiP）在内的多种技术方案。
在封装方面，SK海力士采用了MR-MUF封装技术，这种技术在低压、低温键合和热处理方面具有明显优势，与传统的TC-NCF工艺相比，生产效率和可靠性有显著提升。MR-MUF技术的高热导Gap-Fill材料和高密度金属凸块有效提高了散热性能，比TC-NCF工艺提升了36%。
李康旭表示，为了应对堆叠层数的挑战，SK海力士不断探索增加堆叠层数的方法。公司将继续使用Advanced MR-MUF技术，在12层HBM4及16层HBM4/HBM4E产品中应用，并计划将Hybrid Bonding技术用于未来20层以上的HBM产品。
SK海力士的技术创新不仅推动了存储器领域的发展，也为未来的AI应用奠定了坚实的基础。这些前沿技术的发布无疑将引领行业新潮流，为高性能计算提供强有力的支持。
