SK海力士在成功量产HBM3E后，正全力推进HBM4的研发进程。据悉，该公司为NVIDIA定制的HBM4设计已进入尾声，预计将于今年10月完成设计定案，较三星电子原计划提前数月。这一关键里程碑标志着SK海力士在高端存储器领域的快速进步。

HBM4作为第六代高带宽存储器，其I/O接口数翻倍至2048个，性能显著提升。SK海力士计划在2025年下半年实现12层HBM4的量产，并有望搭载于NVIDIA 2026年推出的新一代GPU Rubin系列中。此外，SK海力士还针对不同客户，如AMD，制定了相应的HBM4开发计划，展现其灵活的市场适应能力。

技术层面，SK海力士HBM4或将采用第五代10纳米级DRAM技术，强调生产稳定性；而三星则可能采用更先进的第六代技术，彰显其技术创新实力。在代工方面，SK海力士选择台积电12纳米和5纳米制程，而三星则坚持使用自家4纳米制程，两者策略各有侧重。