SK海力士与台积电合作开发的HBM4产品预计2025年下半年量产。SK海力士副社长李康旭透露，公司正研发16层HBM4，并探索Advanced MR-MUF与混合键合技术，以应对不同客户需求。

在SEMICON Taiwan 2024上，李康旭分享了HBM在AI时代的关键作用，指出HBM通过I/O并行化成为AI系统高性能DRAM。随着AI发展，AI服务器HBM使用量将增加。

HBM4将提供12层及16层选项，最大容量达48GB，处理速度超每秒1.65TB，采用台积电5纳米制程。SK海力士还评估2.5D和3D SiP方案以优化带宽、容量和能效。

Advanced MR-MUF技术因散热性能优越，已用于12层HBM3E，并计划用于2025年下半年的12层HBM4。同时，SK海力士确认16层产品适用该技术，并与混合键合并行开发，以满足未来大容量需求。

李康旭表示，随着技术发展，HBM5等更高堆叠层产品或将转向混合键合技术。SK海力士正双轨推进，确保技术领先与客户需求满足。