SK海力士宣布了其雄心勃勃的NAND Flash生产计划，计划在2025年突破400层堆叠技术，并已开始构建相关供应链。该公司正与合作伙伴共同研发，预计2025年底前完成量产准备。此前，SK海力士已成功展示321层4D NAND样品，并计划上半年量产。
为实现这一目标，SK海力士将采用混合键合技术中的晶圆对晶圆（W2W）技术，以克服高温高压难题，稳定提升NAND层数。此举也将为供应链带来新变革，吸引更多封装材料、零组件和设备厂商加入。
同时，SK海力士还推出了新一代显存产品GDDR7，预计第三季度量产，性能显著提升，将广泛应用于图形处理、AI、高性能运算等领域。三星电子也在探索类似技术路径，考虑将混合键合技术应用于下一代NAND生产。
