最近，鸿海研究院与阳明交大电子所携手，在第四代半导体技术领域取得了突破性进展。他们的研究团队成功提升了氧化镓（Ga2O3）在高压、高温环境下的耐受性能，这一进展为高功率电子元件的应用开辟了新的可能性。

氧化镓被誉为未来半导体材料的有力竞争者，其独特的特性，如超宽能隙（4.8 eV）和极高的临界击穿场强（8 MV/cm），使其在电动车、电网系统、航空航天等高功率应用中表现出显著优势。相较于现有的硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），氧化镓具有更高的耐压能力和更广泛的应用前景。

此次研究突破了P型Ga2O3的制造技术，利用磷离子植入和快速热退火技术，成功制备了PN型Ga2O3二极体。研究结果表明，这种新型二极体具有出色的电性表现，包括4.2V的开启电压和900V的击穿电压，大大提升了元件的稳定性和可靠性，同时显著降低了电阻。

这一成就不仅为台湾在全球半导体产业中增添了重要优势，还展现了鸿海在技术创新和产业发展方面的卓越能力。鸿海研究院表示，未来将继续推动氧化镓技术的发展，致力于在更多高压、高温、高频应用领域取得突破，为全球科技进步做出更大贡献。