2024年8月28日，鸿海研究院半导体所与阳明交通大学电子所联合宣布，在第四代化合物半导体——氧化镓（Gallium Oxide, Ga2O3）的关键技术研发上取得了重大进展。

这一突破性研究不仅提高了氧化镓在高压、高温条件下的耐受性能，还成功制造出具有优异电性表现的氧化镓PN二极管，标志着鸿海在半导体材料领域的创新能力迈上了新台阶。

此次研究成果由鸿海研究院半导体所所长郭浩中教授及其团队，与阳明交通大学电子所洪瑞华教授团队共同完成。他们通过创新的离子注入技术，实现了异质磊晶生长的同质结氧化镓PN二极管的制备，并成功在国际顶级材料科学期刊《Materials Today Advances》上发表了相关论文。该期刊在2023年的影响力指数高达10.25，进一步证明了这一研究成果的重要性和影响力。

氧化镓作为一种极具潜力的第四代半导体材料，以其超宽能隙（4.8eV）和超高临界击穿场强（8MV/cm）等特性，在高压、高温及高功率应用场景中展现出巨大优势。鸿海与阳明交大的研究团队通过磷离子布植和快速热退火技术，成功解决了P型氧化镓制造的难题，并在其上重新生长出N型和N+型氧化镓层，从而形成了性能优异的PN二极管。这一技术突破不仅提高了组件的稳定性和可靠性，还显著降低了电阻，为电力电子组件的性能提升开辟了新路径。

随着电动车、电网系统、航空航天等行业的快速发展，对高功率、高效率电子组件的需求日益增长。鸿海此次在氧化镓PN二极管技术上的突破，无疑将为这些领域提供更加先进的解决方案。同时，该研究成果也展示了鸿海在半导体材料研发领域的强大实力和创新能力，为全球半导体产业的发展注入了新的活力。