三星电子正积极筹备，计划于2024年底率先开展第六代高带宽存储器（HBM4）的设计定案（Tape Out），并预计在次年年底实现12层HBM4产品的量产。这一举措不仅彰显了三星在存储技术领域的领先地位，也预示着HBM4市场的即将兴起。
与此同时，SK海力士亦不甘落后，宣布将于2025年下半年推出相同规格的HBM4产品。两家公司在生产逻辑裸晶时均考虑采用晶圆代工制程，但选择有所不同：三星将采用自家的4纳米制程，而SK海力士则在台积电的5纳米或12纳米制程间权衡。
此外，在DRAM技术层面，三星已明确将第六代10纳米级（1c）DRAM应用于HBM4，这一决策可能对SK海力士的决策产生影响。原本SK海力士计划使用第五代10纳米级（1b）DRAM，但面对三星的技术进步，SK海力士内部正重新评估，考虑是否跟进采用1c DRAM以保持竞争力。
