SK海力士正积极布局先进DRAM制程，计划于2026年引入High-NA EUV微影设备，并已组建专项研发团队。据韩媒报道，该设备将助力SK海力士在个位数纳米节点上实现量产，提升DRAM生产精度。

High-NA EUV技术因能绘制更精细电路，被视为2纳米以下制程的关键。然而，该技术门槛高，全球仅荷兰ASML能供应，且价格昂贵，单台设备价值超3.69亿美元。尽管如此，SK海力士仍坚定推进，旨在强化技术专业性。

业界动态显示，英特尔已率先订购并接收ASML的EXE:5000型号High-NA EUV设备，而三星亦计划于2024年底至2025年初引进，用于晶圆代工。SK海力士此举无疑将加剧半导体制造领域的竞争，推动技术革新。