三星电子计划在2024年底至2025年第一季度间，引进首台High-NA EUV设备“EXE:5000”，以追赶台积电和英特尔在EUV技术上的领先。该设备预计用于晶圆代工，可能落户韩国华城园区的半导体研究所。

ASML仅生产了8台EXE:5000，其中英特尔已抢购多台，市场猜测三星可能获得最后一台。然而，High-NA EUV设备安装复杂，三星需较长时间进行调试，预计最早于2025年上半年投入生产。

三星正构建High-NA EUV生态系，已展示High-NA光罩检验设备，并与Lasertech合作开发检测设备，提升对比度30%以上。同时，三星还与新思科技合作，探索曲线电路绘制方法，以增强晶圆上电路的清晰度。

此外，三星与JSR、东京威力科创等合作，为2027年High-NA技术商用化做准备。SK海力士也计划引入ASML下一代High-NA EUV设备EXE:5200，用于DRAM生产，显示行业对先进技术的积极追求。