英特尔加速应对制程竞争失利，宣布在俄勒冈州D1X晶圆厂紧急导入第二台高数值孔径（high-NA）极紫外光（EUV）微影设备。此前首台设备已安装并进入校准，凸显英特尔提升制程技术的决心。

财务长David Zinsner透露，为改善毛利率，英特尔将Intel 4与Intel 3制程从美国转移至爱尔兰量产，短期成本虽增，但长期看望提升效益。CEO Pat Gelsinger表示，此举让团队能更专注于更先进的Intel 18A、14A、10A制程研发，同时强调第二台high-NA设备已引入，Intel 14A进展顺利。

英特尔计划2025年利用Intel 18A节点测试high-NA技术，并逐步在更先进制程中应用。业界包括台积电、三星、SK海力士等亦积极订购high-NA设备，ASML确认年底前向台积电出货。

此举显示英特尔不愿重蹈低数值孔径（low-NA）技术失误覆辙，Gelsinger承认前期坚持DUV导致竞争力下降。他看好“后EUV时代”英特尔的成本与效能优势，将重振市场地位。