在半导体技术的浩瀚征途中，台积电再次展现出其作为行业领航者的远见卓识。据最新消息，台积电正加速推进其制程技术的革新步伐，计划在未来的几年内逐步引入High-NA EUV（极紫外光刻）技术，这一举措无疑将为公司乃至整个半导体行业带来深远影响。

据悉，台积电已明确其先进制程路线图，A16制程将于2026年下半年在台湾率先进入量产阶段，预示着台积电在高性能芯片制造领域的持续领先。而紧随其后，A14制程预计将在2026年上半年进入风险试产，并有望于2027年第三季度实现规模化生产。值得注意的是，这两个关键节点仍将依托ASML的Low-NA EUV光刻设备，彰显出台积电与全球顶尖设备供应商的深度合作。

然而，真正的技术飞跃将在A14P制程中显现。台积电计划在2028年左右，于A14P制程中正式引入High-NA EUV光刻技术，这一技术被视为半导体制造领域的“下一代利器”，能够显著提升光刻精度和效率，为更先进制程的实现奠定坚实基础。台积电的这一决策，不仅展现了其对技术前沿的敏锐洞察，更体现了其不断突破自我、引领行业发展的决心。

尤为值得一提的是，台积电已经完成了对ASML High-NA EUV光刻机的首批采购，这一行动标志着公司正稳步迈向技术革新的新阶段。我们有理由相信，随着High-NA EUV技术的全面导入，台积电将在未来制程技术的成本与效能上取得更为显著的进步，为全球客户提供更加卓越的产品和服务。