晶合集成与思特威合作，近期成功试产了业内首颗1.8亿像素全画幅CIS芯片，这一突破为高端单反相机提供了更多图像传感器选择，推动了全画幅CIS技术的发展。该芯片采用晶合集成自主研发的55纳米工艺平台，并通过光刻拼接技术，解决了像素列拼接精度和良率提升的难题，实现了单个芯片尺寸的极限突破。

为了满足8K高清产业的要求，该1.8亿像素CIS芯片不仅具备超高像素和8K 30fps的高帧率，还拥有PixGain HDR模式，确保了动态范围的超高表现。产品的光学结构经过创新优化，能够兼容多种光学镜头，提升了在不同终端应用中的适配性。

此次成功试产的CIS芯片，不仅展现了光刻拼接技术在大靶面传感器领域的应用潜力，也为未来全画幅、中画幅传感器的开发奠定了基础。尤为重要的是，该产品的推出打破了日本索尼在超高像素全画幅CIS领域的长期垄断，为本土产业的发展做出了重要贡献，展现了中国在高端图像传感器领域的自主创新能力。