近日，台积电在半导体设备领域的布局备受关注。台积电董事长魏哲家一行于5月下旬访问荷兰ASML总部，显示出对高数值孔径极紫外光微影设备（High NA EUV）的重视。随着先进制程和封装技术的快速发展，台积电持续拉大与三星、英特尔的差距，稳坐行业领先地位。
据透露，台积电已完成High NA EUV的首波采购计划，并计划在2028年左右启用升级版的A14P制程。而英特尔虽在4月宣布完成首台High NA EUV组装，但台积电在采购量和市场占有率上仍占据优势。
High NA EUV作为新时代极紫外光微影技术，其光波长通过激光束加热锡滴产生，具有极高的分辨率和聚焦能力。台积电通过大量采购和与ASML等供应商的深度合作，已确保未来几年的制程技术推进。
据设备业者指出，台积电计划在2026年上半年进行A14的风险试产，并于2027年第三季度量产。初期将以第三代标准型EUV设备为主，而A14P及后续更先进制程则将全面采用High NA EUV设备。
