在全球半导体领域，三星电子近日宣布了一项激动人心的投资计划，计划在其平泽P4工厂建设1c nm DRAM内存产线。根据韩媒ETNews的报道，这条产线预计将在2025年6月投入运营。这一决定不仅标志着三星在先进内存技术上的新一步，也为未来的产品创新奠定了坚实基础。

平泽P4工厂作为三星的综合性半导体生产中心，其发展分为四个阶段。初期的规划包括一期的NAND闪存生产、二期的逻辑代工，以及后续阶段的DRAM内存生产。尽管二期建设曾被暂时搁置，但三星已在P4一期引进了DRAM生产设备，并计划在平泽P4内实现1c nm DRAM的生产，这一技术被视为第六代内存工艺的前沿。

有业内人士指出，三星此举主要是为了应对未来HBM4内存的生产需求。1c nm DRAM工艺将显著提升HBM4的能效，使三星有望在内存市场中与SK海力士等竞争对手一较高下。此举不仅展示了三星在DRAM领域的雄心，还预示着其在高性能内存市场中的积极布局。

总体而言，三星的这一投资计划展现了其在半导体领域的领先技术和市场前瞻性，对整个行业的发展也具有重要的推动作用。