随着全球存储市场需求的不断攀升和产业的持续回暖，三星电子再次展现其行业领导者的前瞻视野与战略布局。公司正式宣布，将在其位于平泽的综合性半导体生产中心P4工厂内，投资建设先进的1c纳米制程DRAM内存产线，并锁定2025年6月作为量产目标。这一决策不仅标志着三星在存储技术领域的又一次重大飞跃，也预示着全球DRAM市场即将迎来新一轮的技术革新与竞争高潮。
平泽P4工厂作为三星半导体业务的重要基石，其规划之宏伟、功能之全面令人瞩目。该工厂分四期建设，每一期都承载着三星对半导体产业未来的深刻洞察与精心布局。尽管一期项目已顺利导入DRAM设备并投入运营，但三星并未止步于此，反而果断调整策略，将二期原计划的逻辑代工建设暂时搁置，转而全力推进三期及四期的DRAM内存生产，特别是聚焦于前沿的1c纳米制程技术。
1c纳米制程DRAM，作为第六代10纳米级DRAM技术的代表，其问世无疑将开启存储性能与效率的新篇章。然而，目前市场上各大内存厂商尚未发布相关产品，三星此举无疑抢占了先机。公司计划于今年年底正式启动1c纳米生产流程，并考虑将其应用于即将在2025年下半年推出的HBM4产品中。通过采用这一尖端技术，三星旨在显著提升HBM4的性能与竞争力，以更加坚实的步伐追赶并超越竞争对手SK海力士，巩固其在高端存储市场的领先地位。
