香港科技园公司与麻省光子技术（香港）有限公司于7月30日签署了一项重磅合作协议，将在香港科学园内设立全球首个第三代半导体氮化镓外延工艺研发中心。该中心标志着香港在半导体领域迈出了关键一步，为全球氮化镓技术的发展注入了新的动力。

此次合作不仅包括建立氮化镓外延片研发中心，还将推出首条超高真空量产型氮化镓外延片中试线，项目投资高达2亿港元。新建的研发中心将专注于8寸氮化镓外延片的工艺开发及设备平台，致力于生产用于氮化镓光电子和功率器件的小批量外延片。

这一新设施的建设将极大推动香港半导体产业的发展，计划在三年内启动氮化镓外延片的量产线，年产能力达到1万片8寸氮化镓晶圆。预计项目将创造超过250个微电子相关职位，涵盖外延片设计、生产流程开发等多个领域。

香港特区政府创新科技及工业局局长孙东指出，第三代半导体技术的进步对香港科技发展至关重要。氮化镓外延工艺作为其中的核心技术，将显著提升产品性能和稳定性，为半导体行业带来革命性突破。香港微电子研发院的成立及其两条中试线的设立，将进一步促进产学研合作，加速技术创新。

这次合作不仅展示了香港在全球科技前沿的雄心，也为半导体领域带来了新的机遇，预示着香港将在全球半导体产业链中扮演更加重要的角色。