在半导体产业的快速发展浪潮中，第三代半导体技术以其卓越的性能和广泛的应用前景备受瞩目。近日，从第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）传来振奋人心的消息，其标准化委员会（CASAS）在推动行业标准化进程上取得了显著成果，正式公布了13项新标准的最新进展，这标志着我国第三代半导体产业在标准化、规范化发展道路上迈出了坚实的一步。

尤为引人注目的是，由浙江大学及其杭州国际科创中心牵头制定的两项关于GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）动态导通电阻的测试标准，已经顺利形成委员会草案。这两项标准分别针对零电压软开通电路和第三象限续流模式，为GaN HEMT器件的研发、测试、评估及应用提供了科学、规范的指导方法。这不仅将极大提升GaN HEMT器件的测试效率和准确性，更为其在电力电子领域的广泛应用奠定了坚实的技术基础。

在SiC（碳化硅）单晶生长领域，两项关于等静压石墨的标准也进入了征求意见阶段。这两项标准分别涉及等静压石墨构件的纯度测定方法和技术要求，由赛迈科先进材料股份有限公司等单位牵头起草。它们的出台，将为碳化硅单晶生长过程中所使用的等静压石墨材料提供明确的质量标准和检测方法，有助于提升碳化硅单晶的生长质量和生产效率。

此外，CASAS还完成了包括SiC MOSFET阈值电压测试方法在内的9项技术标准的征求意见稿编制工作。这些标准覆盖了SiC MOSFET器件的多个关键性能参数和测试方法，如开关动态测试、输出电容测试等，由闻泰科技股份有限公司、重庆大学等多家知名企业和科研机构联合提出。这些标准的制定，不仅反映了SiC MOSFET技术的最新发展趋势和市场需求，也为SiC MOSFET器件的设计、制造、测试和应用提供了全面的技术支撑。