德高化成启动第三代半导体GaN芯片扩产项目
来源:ictimes 发布时间:2024-07-31 分享至微信

近日,天津德高化成新材料股份有限公司(以下简称“德高化成”)在天津经开区举行了重要的建设启动仪式,标志着其第三代半导体GaN倒装芯片LED封装制造扩产项目正式开工。这一举措不仅代表了德高化成在半导体领域的战略布局,还将进一步促进天津经济的技术进步与发展。


德高化成的这一新项目是响应国家“十四五”发展战略的关键举措,旨在通过建设新厂房、扩充生产线来实现其在全球市场的技术突破。新建的生产基地将占地3562.1平方米,总建筑面积3685.92平方米,计划于2025年3月竣工。项目将具备年产100万片超薄LED荧光胶膜封装材料及5000KK CSP器件的先进制造能力,预示着公司将在高端半导体封装领域获得显著的竞争优势。


作为中国半导体封装树脂材料的先锋,德高化成自2008年成立以来,一直致力于半导体封装用高分子复合材料的研发与生产。公司已成功登陆资本市场,并在半导体集成电路及功率器件封装领域取得了突出成绩。此次扩产项目不仅展示了德高化成的雄心壮志,也将进一步巩固其在全球市场中的领先地位。


这一扩产项目的启动,标志着德高化成在推动半导体技术创新、拓展市场份额方面迈出了重要一步,也为天津地区的新经济发展注入了强劲动力。


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