7月30日，香港科技园公司与麻省光子技术（香港）有限公司签署合作协议，宣布在香港科学园内建立全港首个第三代半导体氮化镓外延工艺全球研发中心，并在创新园开设首条超高真空量产型氮化镓外延片中试线。预计项目投资至少2亿港元，专注于8寸氮化镓外延片工艺及设备平台的开发，用于生产氮化镓光电子和功率器件。

香港特区政府创新科技及工业局局长孙东在签署仪式上强调，特区政府正积极推动微电子产业的发展，计划年内成立香港微电子研发院，并设立碳化硅和氮化镓中试线，以促进产学研合作。孙东表示，特区政府将继续吸引更多科技企业来港发展，发挥协同效应。

麻省光子技术选择香港作为发展基地，是因为香港具备技术、人才和资本密集的环境，以及对专利技术的保护和税务优惠。公司行政总裁廖翊韬认为，香港的国际化特点和人才储备对于面向全球化市场至关重要。

麻省光子技术计划与香港微电子专家联合开发氮化镓光电子和功率半导体器件，通过中试研发和孵化，建立完整的超高真空氮化镓外延技术和产品专利包。公司目标在三年内完成中试，并启动年产1万片8寸氮化镓晶圆的量产产线建设，将香港制造的产品推向全球市场。

孙东指出，香港发展新质生产力需发挥国际化优势和科研实力，支持第三代半导体等优势科技产业发展。氮化镓外延工艺是第三代半导体发展的关键技术，对优化产品性能和稳定性具有重要意义。此次合作被视为香港微电子产业及新型工业化发展的重要里程碑，将推动第三代半导体产业链的布局，使香港微电子创科生态更加蓬勃。