泛林集团Lam Research近期宣布推出其第三代低温介质蚀刻技术Lam Cyro 3.0，这一新技术将为3D NAND闪存制造领域带来重大突破。Lam Cyro 3.0技术能够以埃米级精度创建高深宽比图形特征，为实现1000层3D NAND闪存的生产铺平了道路。

据泛林集团全球产品部高级副总裁Sesha Varadarajan介绍，泛林低温蚀刻技术已成功应用于500万片晶圆的生产。Lam Cyro 3.0技术结合了高能密闭式等离子反应器、低温工作环境和新型化学蚀刻物质，能够蚀刻出深宽比高达50:1、深度达10μm的通道，同时确保从顶部到底部的特征关键尺寸偏差控制在0.1%以内。

与传统介电工艺相比，Lam Cyro 3.0的蚀刻速度提高了2.5倍，能耗降低了40%，排放量更是减少了90%。这一技术不仅提升了3D NAND闪存的生产效率和质量，同时也显著降低了对环境的影响。

在3D NAND闪存生产过程中，细长的垂直孔道是连接各层存储单元的关键。Lam Cyro 3.0技术的应用，将有助于减少孔道构建过程中的误差，提高存储新品的电气性能和良率，满足人工智能时代对高性能存储产品的需求。

泛林集团的这一创新技术，不仅为3D NAND闪存制造商提供了强大的技术支持，也为整个半导体行业的发展注入了新的活力。随着Lam Cyro 3.0技术的推广应用，我们有理由相信，1000层3D NAND闪存的大规模生产将不再遥远。