在科技日新月异的今天，Kioxia Corporation凭借其革命性的3D NAND快闪存储器技术，再次站在了行业之巅。近日，该公司荣获了2024年“FMS未来存储器和储存终身成就奖”，这一殊荣不仅是对Kioxia技术实力的认可，更是对其在推动数据存储技术革新方面所做出巨大贡献的肯定。
Kioxia的工程团队，由Hideaki Aochi、Ryota Katsumata、Masaru Kito、Masaru Kido和Hiroyasu Tanaka等杰出科学家组成，他们凭借BiCS FLASH 3D快闪存储器技术的开发与商业化，成功地将这一开创性技术推向市场，彻底改变了数据存储的面貌。这项技术不仅为智能手机、个人电脑、固态硬盘、数据中心、人工智能和工业等领域提供了强有力的支持，更为整个存储产业树立了新的标杆。
回溯至2007年，Kioxia在VLSI研讨会上首次提出了BiCS FLASH 3D快闪存储器技术的概念，这一前瞻性的构想迅速吸引了业界的广泛关注。经过多年的不懈努力和持续创新，Kioxia终于在2015年成功推出了全球首款256 Gb、48层3D快闪存储器，实现了从概念到产品的完美跨越。
FMS总主席Chuck Sobey对Kioxia的成就给予了高度评价，他表示：“Kioxia在3D快闪存储器领域的创新不仅推动了数据存储技术的进步，更为满足现代运算需求提供了开创性的解决方案。我们非常荣幸能够表彰这一重要贡献，并期待Kioxia在未来继续引领存储技术的发展。”
BiCS FLASH 3D快闪存储器技术的成功，得益于其独特的3D堆叠结构。这种结构不仅提高了存储器的容量和性能，还保持了高可靠性和效率，为数据中心、消费电子产品和移动设备等领域带来了前所未有的体验。Kioxia的这项技术不仅解决了平面NAND快闪存储器的局限性，更为存储器存储解决方案的未来发展奠定了坚实的基础。
