科林研发公司最新推出的Lam Cryo 3.0，是其在低温介电层蚀刻技术领域的又一里程碑。这项技术集成了超低温环境、高功率局限电浆反应器以及创新的表面化学处理工艺，实现了前所未有的蚀刻精度与轮廓控制能力。
随着人工智能技术的飞速发展，对存储器的容量和性能要求日益提升。Lam Cryo 3.0正是为满足这一需求而生，它为客户迈向1000层3D NAND存储芯片的生产奠定了坚实基础。该技术已在全球范围内成功应用于数百万片晶圆的生产，展现了其卓越的稳定性和可靠性。
Lam Cryo 3.0的亮点在于其能够以极高的精度构建高深宽比（HAR）特征，同时减少对环境的影响。其蚀刻速率是传统介电层制程的两倍以上，显著提高了生产效率。此外，该技术还能有效减少蚀刻过程中的轮廓误差，确保芯片的电性能和良率均达到最优水平。
目前，Lam Cryo 3.0已经成功应用于多家领先的存储器制造商的生产线中，并获得了广泛好评。
