科林研发推出Lam Cryo 3.0技术，专为高性能3D NAND存储器打造。该技术采用超低温高功率封闭电浆反应器，实现埃米级高精度蚀刻，速度倍增且能耗大幅降低40%，碳排减少90%。Lam Cryo 3.0已成功应用于500万片晶圆制造，证明其规模化能力。

该技术能创造出深度远超宽度的精细纹路，显著提升3D NAND效能，对实现未来千层3D NAND目标至关重要。Lam Cryo 3.0与现有FLEX系列HAR介电质蚀刻机兼容，迅速获得市场认可。

尽管科林研发近期营收有所下滑，但其毛利率稳定在47.19%，显示强大的成本控制与定价能力。分析师对其前景持乐观态度，认为科林研发有能力克服挑战，持续创新。