三星电子计划第三季量产8层HBM3E,瞄准市场快速增长
来源:ictimes 发布时间:2024-08-02 分享至微信

三星电子在2024年第二季度财报电话会议上宣布,其第五代8层高带宽存储器3E(HBM3E)产品正在接受客户评估,并计划于今年第三季度实现量产。此前,三星已完成了12层HBM3E芯片的量产准备,预计将根据客户需求在今年下半年扩大供应。


三星对新一代HBM3E产品的销售前景持乐观态度,预计第三季度HBM3E芯片在HBM产品中的份额将超过10%,并有望在第四季度迅速增长至60%。记忆体销售和行销主管Kim Jaejune表示,公司将向多家客户供货,但未透露具体客户信息。


尽管目前英伟达(NVDA-US)是三星的主要竞争对手SK海力士的主要客户,但三星正积极争取成为英伟达的供应商。据悉,三星的HBM3芯片已部分通过英伟达的认证,显示出三星在高频宽存储芯片领域的竞争力。


三星预计,到2025年,其记忆体供应量将增加一倍。公司官员还透露,第二季度HBM销售额较上一季度增长了50%,并预计下半年将增长3至5倍,每个季度的增长速度约为前一季度的两倍。


这一消息显示三星在半导体存储领域的持续创新和扩张计划,以及其在全球市场中与主要竞争对手的激烈竞争。随着HBM3E产品的量产和市场推广,三星有望进一步提升其在全球半导体市场的份额和影响力。


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